适用场景
芯片 / 器件失效点的定点截面剖析
TEM 样品定点挖取与制备
微纳结构加工与电路修复
核心能力 · 设备亮点
定点刻蚀
纳米精度离子束刻蚀，可揭示任意截面。
TEM 挖样
U 型 / H 型挖取，配合 Pt 沉积加固。
气体沉积
Pt / C 选择性沉积，修复与防护一体。
典型参数
离子源Ga⁺ 30 kV
最小线宽≈ 10 nm
沉积Pt / C 气体源
适用半导体 / 金属 / 生物
样品要求
- 样品尺寸建议 ≤ 15 mm，导电或需喷金处理
- 明确目标区域坐标或形貌特征
- 敏感样品请注明耐离子束剂量
交付标准
- TEM 铜网样品（如适用）
- 截面 SEM / FIB 形貌图
- 加工区域定位记录
服务流程
- 1
提交需求 · 在线下单
- 2
方案确认 · 顾问对接
- 3
样品寄送 · 协议随附
- 4
实验测试 · 实时跟进
- 5
数据交付 · 三重提醒
- 6
财务结算 · 申请开票